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[1]安子博,汪　晗,竺昌海,等.硅碳直接反应法制备超细β-SiC粉[J].武汉工程大学学报,2016,38(06):560-564.[doi:10. 3969/j. issn. 1674?2869. 2016. 06. 009]
　AN Zibo,WANG Han,ZHU Changhai,et al.Preparation of Ultrafine-SiC Powder by Direct Reaction of Silicon and Carbon[J].Journal of Wuhan Institute of Technology,2016,38(06):560-564.[doi:10. 3969/j. issn. 1674?2869. 2016. 06. 009]
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硅碳直接反应法制备超细β-SiC粉(/HTML)
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《武汉工程大学学报》[ISSN:1674-2869/CN:42-1779/TQ]

卷:
38
期数:
2016年06期
页码:
560-564
栏目:
材料科学与工程
出版日期:
2016-12-15

文章信息/Info

Title:
Preparation of Ultrafine-SiC Powder by Direct Reaction of Silicon and Carbon
作者:
安子博; 汪　晗; 竺昌海; 薛　俊*; 曹　宏
武汉工程大学材料科学与工程学院，湖北 武汉 430074
Author(s):
AN Zibo;  WANG Han;  ZHU Changhai;  XUE Jun*;  CAO Hong
School of Materials Science and Engineering， Wuhan Institute of Technology， Wuhan 430074， China
关键词:
碳化硅; 超细粉体; 制备
Keywords:
silicon carbide; ultrafine powder; synthesize
分类号:
TB321
DOI:
10. 3969/j. issn. 1674?2869. 2016. 06. 009
文献标志码:
A
摘要:
采用碳纳米管（CNTs）为碳源，硅粉为硅源，通过煅烧，制备出了纳米到亚微米级的超细碳化硅（SiC）粉体，研究了1 300 ℃、1 400 ℃、1 500 ℃三个不同的反应温度对于SiC粉体粒度的影响，讨论了SiC颗粒形成的反应机理. 表征结果显示，制备的粉体物相均为β-SiC，随着反应温度的升高，粉体粒径增大. Nicomp多波形粒径分布显示，在1 300℃条件下制备的超细SiC粉体中96.4%的颗粒粒径为95.9 nm. 通过分析，推测超细SiC粉的形成机理为：反应物中存在的杂质镍与硅粉在高温下形成共熔液滴，碳纳米管进入液滴反应生成SiC晶核，进而析出晶体，晶体在高温条件下不断长大，形成超细SiC粉. 碳硅直接反应法相对简单、成本低，适合大规模制备纳米及亚微米级碳化硅粉体.
Abstract:
The ultrafine silicon carbide （SiC） powder with size from nanometer to micrometer was synthesized by calcining method using carbon nanotubes （CNTs） and silicon powder as raw materials. The effect of reaction temperatures of 1 300 ℃， 1 400 ℃ and 1 500 ℃ on the particle sizes of ultrafine SiC powder was investigated， and the formation mechanism of ultrafine SiC powder was explored. The results show that the phase compositions of ultrafine SiC powder are β-SiC. The particle size of powder increases with the temperature increasing. The Nicomp size distribution of ultrafine SiC powder show that the particle sizes of almost 96.4% ultrafine SiC powder synthesized at 1 300 ℃ are 95.9 nm. The results of test suggest that the formation mechanism of ultrafine SiC powder can be ascribed to： the nickel and silicon powder formes eutectic droplets at elevated temperature， and the CNTs enter the droplets and react with silicon to produce SiC nucleated seeds， and subsequently the ultrafine SiC powder is got with the nucleated seeds growing. The synthesized method is easy and economical， which is suitable for large-scale preparation of ultrafine SiC powder.

参考文献/References:

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备注/Memo

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更新日期/Last Update: 2016-12-23